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BSS126H6327XTSA2  与  BSS126 H6906  区别

型号 BSS126H6327XTSA2 BSS126 H6906
唯样编号 A-BSS126H6327XTSA2 A-BSS126 H6906
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 500Ω
上升时间 - 9.7ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 10V
正向跨导 - 最小值 - 8mS
封装/外壳 PG-SOT23-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.1nC @ 5V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 21mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 500 欧姆 @ 16mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 0V,10V -
下降时间 - 115ns
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 8uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS126
FET功能 耗尽模式 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 6.1ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS126H6327XTSA2 Infineon  数据手册 BJT三极管

车规 PG-SOT23-3

暂无价格 0 当前型号
AO3160 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23A-3 N-Channel 600V 20V 0.04A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 5 对比
BSS126 H6906 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

600V 21mA 500Ω 10V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
AO3162 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 600V 30V 0.034A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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